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  有哪些因素相關(guān)?H2SO4濃度。改變H2SO4濃度會(huì)對(duì)氧化膜阻擋層的厚度、溶液的電導(dǎo)率、陽(yáng)極氧化膜的耐蝕性和耐磨性以及后處理的密封質(zhì)量產(chǎn)生一定的影響。H2SO4濃度阻擋層厚度保持耐電壓腐蝕和耐磨性。氣化膜質(zhì)灰白色，疏松，外孔徑大，封孔困難。在槽溫陽(yáng)極氧化過(guò)程中，一些電能會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能，槽溫會(huì)不斷升高。隨著溫度的升高，薄膜損耗會(huì)增加，薄膜質(zhì)量會(huì)變差，薄膜耐磨性會(huì)降低。特別是對(duì)于15um以上的薄膜，即使在空氣中，也會(huì)出現(xiàn)“粉化”現(xiàn)象，所以工藝一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)鍍液溫度在一定范圍內(nèi)升高時(shí)，得到的陽(yáng)極氧化薄膜重量下降，薄膜變軟但變亮。隨著槽液溫度的升高，氧化膜外層的孔徑和程度變大，封孔困難，容易產(chǎn)生“霜”。當(dāng)浴溫高時(shí)，陽(yáng)極氧化膜容易染色。但是很難保持相同的色深，所以染色膜的陽(yáng)極氧化溫度為20~25，得到的氧化膜硬度高，耐磨性好。陽(yáng)極氧化，過(guò)程中保持電流密度所需的電壓高，能耗大，所以一般陽(yáng)極氧化選擇18~22

  氧化電壓陽(yáng)極氧化電壓決定氧化膜的孔徑大小。低壓生產(chǎn)的薄膜孔徑小，孔多，高壓生產(chǎn)的薄膜孔徑大，孔數(shù)少。高壓有利于在一定范圍內(nèi)產(chǎn)生致密均勻的薄膜。

  電流密度電流密度高，成膜快，生產(chǎn)效率高，但過(guò)高容易燒壞工件。一般當(dāng)電流密度控制在1.2~1.8A/dm2范圍內(nèi)時(shí)，電流密度低，生產(chǎn)效率低。但當(dāng)處理表面光亮(約1A/dm2)時(shí)，電流密度高，成膜快，但容易產(chǎn)生軟膜甚至燒傷。如果冷凍能力足夠并且攪拌良好，將使用更高的電流陽(yáng)極氧化，這有利于提高膜的耐磨性。